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IMEC发布200毫米CMOS硅衬底晶片生产技术环亚国际

  IMEC发布200毫米CMOS硅衬底晶片生产技术

   IMEC(Interuniversity MicroELectronics Centre,欧洲微电子研究中心)近来发布其最新的硅衬底晶片。在一项名为氮化镓工业联盟方案(IIAP)的研制项目里,IMEC与其合作伙伴共同开发了在200毫米硅晶片上成长GaN/AlGaN的技能。凭借这项新技能,GaN MISHEMTs( metal-insulator semiconductor high-electron mobility transistors,无金属高电子迁移率晶体管)可以严厉依照CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)的污染操控要求在工艺线上进行出产(不再需求参加金这种贵金属),进而可以在200mm硅衬底上大批量出产高质量的氮化镓产品。环亚国际凯时娱乐手机下载

  IMEC具体介绍了该技能的优势:

  1. 大尺度出产

  氮化镓是一种极具潜力能代替硅元件的新一代功率器材。IMEC运用Applied Materials公司的MOCVD最近成功地在200毫米硅晶片上出产出外表无裂纹而且弯曲度小于50微米的氮化镓硅晶片是一个重要的里程碑,由于出产大尺度晶片对下降成本效果显著。

  2. 兼容性好

  下降成本第二个有用要素是怎样使得功率器材与规范CMOS制作工艺和东西兼容。IMEC的新技能展现了运用规范CMOS工艺出产GaN MISHEMTs,并验证了一切的设备只是只要求在软件和硬件做细小的调整即可。一般,金这种贵金属被用于氮化镓产品的电路衔接和门电路结构,但它使氮化镓的加工与CMOS工艺不兼容。而IMEC根据无金的电路衔接体系,和无金的金属绝缘半导体(MIS)门结构处理了兼容问题。这种MISHEMT规划还能有用下降传统HEMTs(高电子迁移率晶体管)的高漏电问题。

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